Учёные Токийского университета и Центра RIKEN CEMS прототип запоминающего элемента на основе антиферромагнетика Mn₃Sn — станнида тримарганца, сплава марганца с оловом. Его атомы упакованы в кагоме-решётку, а магнитные моменты соседей развёрнуты на 120 градусов. Полная намагниченность почти нулевая, но материал при этом ведёт себя как ферромагнетик и выдаёт гигантский аномальный отклик Холла. Ток для переброса состояния практически не нужен.
Ячейка переключается за 40 пикосекунд. Коммерческая DRAM и SRAM работают в диапазоне единиц наносекунд — разница примерно в 25 раз. Импульс настолько короткий, что кристалл не успевает разогреться. Инженеры прогнали триллион циклов без потери работоспособности. Для энергонезависимой памяти это пока недосягаемый рубеж.
Второй результат — лазерное управление. На ячейку подали импульс от телекоммуникационного лазера на 1550 нанометров, пропущенный через фотопреобразователь. Сработало. Фактически показали прямую стыковку оптического канала с магнитным накопителем, без промежуточной КМОП-логики. Для дата-центров, где магистрали уже работают на этой длине волны, схема обещает опто-спинтронную память, впаянную прямо в межсерверную оптику.
Если технологию удастся переложить на техпроцесс, появятся энергонезависимые процессоры с почти мгновенным переключением и минимальным потреблением. Для ИИ-ускорителей и экзафлопсных машин, где охлаждение отъедает бюджет наравне с вычислениями, это смена правил игры.
Читать далее:
Обложка: Nano Banana 2
The post appeared first on .