Для памяти DRAM нового поколения не потребуются литографы EUV
Китайский производитель памяти CXMT (ChangXin Memory Technologies) начал разработку нового поколения DRAM с использованием технологии гибридного соединения пластин (Wafer-to-Wafer Hybrid Bonding). Предполагается, что она позволит значительно увеличить плотность памяти и повысить ее производительность без применения передового EUV-оборудования.
Новая технология предусматривает отказ от традиционных микроконтактов. Вместо них две кремниевые пластины соединяются напрямую, что сокращает длину электрических соединений, снижает энергопотребление и задержки, а также позволяет разместить больше памяти на той же площади кристалла.
Сообщается, что CXMT уже испытывает технологию на пилотной линии в Хэфэе. Одновременно компания разделяет производство массива ячеек памяти и управляющей логики на разные пластины, что позволяет использовать различные техпроцессы для каждого из компонентов и повысить эффективность производства.
Ранее сообщалось, что в качестве потенциального поставщика DRAM. Однако главной причиной называют не снижение стоимости памяти, а желание диверсифицировать цепочку поставок на фоне растущего дефицита DRAM, вызванного высоким спросом со стороны дата-центров для искусственного интеллекта.